市調機構集邦科技昨日表示，DRAM市場的不景氣，晶圓廠滿載情況已不復見，後段封測廠產能利用率也同步下滑，其中，今年以來封裝平均產能利用率已經下滑了約30％左右，測試產能利用率更下滑了約40％，而DRAM廠在9月陸續減產後，預估整體顆粒產出量縮會在明年1月陸續浮現，亦將嚴重擠壓到封測廠的產能利用率。

    　DRAM市場嚴重供過於求與全球經濟的持續惡化下，1Gb DDR2有效測試（eTT）顆粒價格，已由年初的1.76美元下滑至目前的0.87美元，跌幅高達50％，至於原廠顆粒價格跌幅更高達53％至55％。此外，DRAM廠長達近2年的虧損，甚至近期顆粒價格跌破變動成本後，DRAM廠均面臨現金淨流出與手上現金嚴重不足的存亡問題，所以自今年9月開始，包括力晶、爾必達、海力士、茂德、華亞科等業者紛紛宣佈減產，減產幅度高達13％，反映出DRAM市場環境的惡劣。

    　面對著DRAM產業的冰河時期，DRAM廠也有許多動作來減少燒錢速度，包括進行製程微縮降低單位製造成本、鼓勵員工休假、甚至減少投片量等方式，以因應這波的不景氣。當然，上游DRAM廠減產，自然也直接影響到下游的封測廠。

    　根據集邦科技統計，自DRAM顆粒價格下滑之後，DRAM原廠要求下游的封測廠商共體時艱，不時希望封測廠降價，以壓低封裝與測試成本。